业务部分——设备解决方案部分（DS）已拟定清晰规划，方针是在2026年或之前成功研宣布至少具有400层单元笔直堆叠的V-NAND，以期在进步存储容量与功能方面到达新高度。

  现在，三星正批量生产286层大容量V9 NAND闪存芯片。但是，在现有的NAND芯片规划中，存储单元堆叠在外围设备之上，而堆叠超越300层往往会对外围设备形成危害。为了打破这一技能瓶颈，三星方案在顶级的V10 NAND中引进立异的键合技能。该技能将别离在不同的晶圆上制作存储单元和外围设备，随后再进行键合，以此来完成“超高”NAND堆叠。

  三星表明，这种被称为键合笔直NAND闪存（BV NAND）的新技能，不只具有大存储容量，还具有杰出的散热功能，是AI数据中心所需超大容量固态硬盘（SSD）的抱负挑选。三星骄傲地声称，BV NAND是“AI的抱负NAND”。

  回顾历史，三星于2013年率先在业界推出笔直堆叠存储单元，创始了V NAND芯片的新纪元，完成了存储容量的最大化。据三星泄漏，BV NAND技能可将单位面积的比特密度进步1.6倍。

  展望未来，三星方案在2027年推出V11 NAND，逐渐推进堆叠技能的开展，估计数据输入和输出速度将进步50%。此外，三星还方案推出SSD订货服务，以满意办理AI半导体出资高本钱的需求。

  三星更是雄心壮志地提出，到2030年，将开宣布超越1000层的NAND芯片，以继续进步存储密度和才能，稳固其在大容量、高功能NAND闪存商场的领导地位。

  NAND闪存作为非易失性存储芯片，可以在电源封闭时坚持数据存储，大范围的运用于智能手机、U盘与服务器等设备。根据商场追寻组织TrendForce的数据，到第二季度，三星在NAND范畴占有主导地位，具有全球36.9%的商场份额。

  在DRAM范畴，三星相同不甘落后，方案最早于2024年末推出第六代和第七代10nm DRAM（别离称为1c DRAM和1d DRAM），以满意HBM4等先进AI芯片的需求。此外，三星还方案在2027年推出选用笔直沟道晶体管（VCT）三维结构的0a DRAM，以进步功能和稳定性。

  在推行NAND的一起，三星公司副董事长、DS部分主管Jun Young-hyun表明将对公司做严重变革。虽然三星在DRAM商场上占有领头羊，但在HBM商场上却面对来自竞赛对手SK海力士的剧烈竞赛。SK海力士是全球第二大存储制作商，也是英伟达高端HBM芯片的首要供货商。

  据商场研讨公司Gartner猜测，全球存储商场将从2024年的920亿美元增加至2026年的2270亿美元。三星估计，在2024年至2029年期间，服务器DRAM和企业级SSD（eSSD）商场的年增加率将别离到达27%和35%。

  技能中完成了严重打破，初次在“金属布线”工艺中引进了钼（Mo）技能。这一立异标志着

  +不远了 /

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